Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=150V, 148 A, PG-TTFN-9, 贴片安装, 9引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-938P
- 制造商零件编号:
- IQD063N15NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 284-938P
- 制造商零件编号:
- IQD063N15NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 148 A | |
| 最大漏源电压 | 150V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 封装类型 | PG-TTFN-9 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 148 A | ||
最大漏源电压 150V | ||
系列 OptiMOS | ||
封装类型 PG-TTFN-9 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 9 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 SiC | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，是一种先进的高性能 MOSFET，专为各种工业应用中的多功能性而设计。该器件具有极低的导通电阻和出色的热阻，因此效率极高，适用于可靠性要求极高的电源管理任务。其坚固耐用的特性确保了 100% 的雪崩测试，让用户在操作过程中充满信心。OptiMOS 5 系列具有很高的击穿电压和动态能力，其设计旨在提高性能标准，同时保持符合环境标准。
效率高、功率损耗低
卓越的热管理，延长使用寿命
广泛的工业可靠性验证
宽工作温度范围
低栅极电荷可降低开关损耗
具有竞争力的 PWM 开关性能
符合 RoHS 和无卤素标准
卓越的热管理，延长使用寿命
广泛的工业可靠性验证
宽工作温度范围
低栅极电荷可降低开关损耗
具有竞争力的 PWM 开关性能
符合 RoHS 和无卤素标准