Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 789 A, PG-TTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQDH29NE2LM5CGATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-940
- 制造商零件编号:
- IQDH29NE2LM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IQDH29NE2LM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 789A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-TTFN-9 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.29mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 789A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-TTFN-9 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.29mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 optimos 5 功率晶体管，可在各种工业应用中提供卓越性能。这款尖端的 N 沟道晶体管工作电压最高可达 25V，具有出色的低导通电阻和更强的热管理能力。其令人印象深刻的 789A 连续漏极电流能力使其即使在严苛条件下也能高效运行。它完全符合 JEDEC 标准，确保日常使用中的使用寿命和耐久性。
先进的耐热性能延长使用寿命
零栅极电压漏极电流最大限度地减少了能量浪费
可靠的雪崩能量处理
无铅，符合 RoHS 标准，实现环保
针对逻辑级应用进行了优化