Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 447 A, PG-TTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQDH88N06LM5CGATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-945
- 制造商零件编号:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 200 - 998 | RMB24.71 | RMB49.42 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-945
- 制造商零件编号:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 447A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-TTFN-9 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.86mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 76nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 447A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-TTFN-9 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.86mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 76nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 5 功率晶体管，是一种高性能 N 沟道 MOSFET，旨在为工业应用提供出色的效率和可靠性。该元件采用先进的半导体技术，具有出色的热管理性能和低导通电阻，是电源转换解决方案的理想之选。该产品具有很高的雪崩能量等级，并通过了 JEDEC 标准的严格验证，因此可以满足严格的操作要求，同时保持安全性和耐用性，值得信赖。
优化冷却热阻
符合工业可靠性要求
无铅电镀，绿色环保
栅极驱动要求低，简化了电路
设计稳健，适用于高漏极电流
100% 经过雪崩测试，可靠性高
结构紧凑，易于集成