Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 151 A, PG-TTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQE022N06LM5CGATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 284-951P
- 制造商零件编号:
- IQE022N06LM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IQE022N06LM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 151A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-TTFN-9 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 151A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-TTFN-9 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 是一款高性能功率晶体管，专为要求苛刻的电源管理应用而设计。它展示了先进的 OptiMOS 5 技术，针对开关模式电源中的同步整流进行了优化。创新的设计确保了极低的导通电阻，提供了卓越的热特性，提高了可靠性和效率。该产品额定电压为 60V，通过了严格的雪崩测试，并符合 RoHS 标准，因此特别适用于工业应用。它采用逻辑级 N 通道设计，可简化电路集成，同时保持出色的运行性能。
针对高效功率转换进行了优化
逻辑电平 N 通道，便于接口连接
100% 经过雪崩测试，可靠性高
符合 RoHS 规范，确保环境安全
无卤素，支持可持续发展标准
通过 JEDEC 工业应用验证
卓越的热管理延长了使用寿命
高持续漏极电流，可满足苛刻负载的要求