Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 637 A, PG-TTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQDH45N04LM6CGATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 285-039P
- 制造商零件编号:
- IQDH45N04LM6CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IQDH45N04LM6CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 637A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PG-TTFN-9 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 637A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PG-TTFN-9 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用先进的功率晶体管，在高性能应用中表现出色，具有极高的效率和可靠性。它采用 OptiMOS 6 系列设计，具有令人印象深刻的电气特性，为 MOSFET 技术设定了新标准。通过 100% 的雪崩测试，无论是用于电源管理还是电机控制应用，其坚固性都值得用户信赖。此外，它还符合 RoHS 规范和无卤素特性，确保遵守严格的环保标准，是具有环保意识的项目的明智之选。
逻辑级应用的 N 通道设计
出色的散热性
专为提高快速开关效率而设计
经雪崩评级，可在压力下确保可靠性
无铅，符合 RoHS 标准，实现环保
无卤素结构符合安全标准
通过 JEDEC 工业性能认证