Infineon , 1 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, PG-TDSON-8 FL, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 6 Power Transistor系列, ISC037N12NM6ATMA1
- RS 库存编号:
- 285-045P
- 制造商零件编号:
- ISC037N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 198 | RMB27.45 |
| 200 - 998 | RMB25.30 |
| 1000 - 1998 | RMB23.47 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 285-045P
- 制造商零件编号:
- ISC037N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 FL | |
| 系列 | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
包装类型 PG-TDSON-8 FL | ||
系列 OptiMOS 6 Power Transistor | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
英飞凌 MOSFET 是一款高性能 N 沟道功率晶体管，可为各种应用提供卓越的效率和可靠性。该元件具有创新的热特性，在温度高达 175°C 的苛刻环境中表现出色。它采用最先进的 OptiMOS 技术，可确保最小的能量损耗和更强的开关能力，是高频应用的理想之选。无论是在工业环境中部署还是在同步整流中使用，该设备都符合严格的 RoHS 规范，确保其符合现代环保标准。
针对高频开关进行了优化
无铅电镀符合标准
MSL 1 级可靠性分类
低反向恢复电荷提高了效率
高雪崩能量防护等级
出色的栅极电荷降低了驱动损耗