Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 86 A, PG-TDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISC073N12LM6ATMA1, OptiMOS 6 Power Transistor系列
- RS 库存编号:
- 285-048P
- 制造商零件编号:
- ISC073N12LM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 285-048P
- 制造商零件编号:
- ISC073N12LM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 86A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 系列 | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 86A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
系列 OptiMOS 6 Power Transistor | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 是一种先进的 N 沟道功率晶体管，在高频开关应用中表现出色。它采用创新的 OptiMOS 6 技术设计，具有卓越的效率和性能。该元件具有较低的导通电阻和较高的雪崩能量等级，专为要求苛刻的工业应用而优化，即使在具有挑战性的热环境中也能确保可靠运行。其紧凑的 PG TDSON 8 封装进一步增强了其可用性，可直接集成到各种设计中。该晶体管可在很宽的温度范围内无缝运行，为众多应用提供了便利。
N 沟道设计可提高性能
针对高频开关进行了优化
低电阻可提高能效
高雪崩等级确保可靠性
紧凑型封装节省设计空间
符合 RoHS 标准，可持续发展
MSL 1 易于焊接
内部主体二极管可提高功能性