Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 63 A, PG-TDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISC104N12LM6ATMA1, OptiMOS 6 Power Transistor系列
- RS 库存编号:
- 285-049
- 制造商零件编号:
- ISC104N12LM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- ISC104N12LM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 63A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 系列 | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 94W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 63A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
系列 OptiMOS 6 Power Transistor | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 10.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 94W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 是专为高效应用而设计的顶级功率晶体管。凭借先进的 N 沟道逻辑电平特性，它能提供极低的导通电阻，确保在运行期间实现最佳节能效果。创新的 SuperSO8 封装增强了热管理功能，非常适合高频开关任务。这种最先进的元件具有出色的栅极电荷性能，大大降低了不太先进的器件通常会出现的损耗。此外，它还符合 RoHS 和无卤素规定，确保了对环保技术的承诺。
N 沟道技术实现卓越性能
低导通电阻可减少功率损耗
专为高频开关而设计
符合可靠性行业标准
不含 RoHS 和卤素，符合环保要求
可处理高雪崩能量，坚固耐用
针对同步整流进行了优化
增强散热特性，提高散热效果