Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 59 A, PG-TDSON-8, 贴片安装, 8引脚, OptiMOS Power Transistor系列
- RS 库存编号:
- 285-051
- 制造商零件编号:
- ISC240P06LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 5000 件）*
¥58,265.00
(不含税)
¥65,840.00
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 + | RMB11.653 | RMB58,265.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 285-051
- 制造商零件编号:
- ISC240P06LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 59 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | OptiMOS Power Transistor | |
| 封装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 59 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 OptiMOS Power Transistor | ||
封装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
英飞凌 MOSFET 是一款尖端的 P 沟道 MOSFET，旨在为电源管理应用提供卓越的性能。它的额定电压为 60V，具有高效率和低导通电阻的特点，可确保在运行过程中将功率损耗降至最低。其坚固耐用的设计已通过 100% 的雪崩测试，为在严苛环境中寻找可靠解决方案的工程师提供了保障。该晶体管以逻辑电平工作，因此适用于工业应用中的各种控制场景。
注塑热管理
通过 JEDEC 可靠性标准验证
符合 RoHS 规范，符合环保要求
可持续发展的无卤材料
针对高速开关效率进行了优化
通过 JEDEC 可靠性标准验证
符合 RoHS 规范，符合环保要求
可持续发展的无卤材料
针对高速开关效率进行了优化