Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, -59 A, PG-TDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISC240P06LMATMA1, OptiMOS Power Transistor系列
- RS 库存编号:
- 285-053P
- 制造商零件编号:
- ISC240P06LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- ISC240P06LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -59A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS Power Transistor | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -59A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS Power Transistor | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 24mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 是一款尖端的 P 沟道 MOSFET，旨在为电源管理应用提供卓越的性能。它的额定电压为 60V，具有高效率和低导通电阻的特点，可确保在运行过程中将功率损耗降至最低。其坚固耐用的设计已通过 100% 的雪崩测试，为在严苛环境中寻找可靠解决方案的工程师提供了保障。该晶体管以逻辑电平工作，因此适用于工业应用中的各种控制场景。
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