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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	P
	最大连续漏极电流	32A
	最大漏源电压	100V
	封装类型	PG-TDSON-8
	系列	OptiMOS Power Transistor
	安装类型	贴片
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	晶体管材料	SiC
	每片芯片元件数目	1

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 P
	最大连续漏极电流 32A
	最大漏源电压 100V
	封装类型 PG-TDSON-8
	系列 OptiMOS Power Transistor
	安装类型贴片
	引脚数目 8
	通道模式增强
	晶体管材料 SiC
	每片芯片元件数目 1

Datasheet - ISC750P10LMATMA1

英飞凌 MOSFET 是一种先进的功率 MOSFET，专为实现工业应用中的最佳效率和多功能性而设计。它采用坚固耐用的 P 沟道配置，具有极低的导通电阻，并能处理高漏极电流，因此适用于一系列要求苛刻的电子电路。逻辑电平栅极驱动的加入意味着它可以在低压系统中无缝运行。这款功率晶体管具有出色的散热性能和可靠的雪崩额定值，非常适合需要在持续应变下保持耐用性和可靠性的应用。该产品符合 RoHS 规范并采用无卤素镀铅工艺，进一步提高了其在环保设计方面的适用性，让制造商在激烈的市场竞争中高枕无忧。

用于电源管理的出色开关性能
100% 经过雪崩测试，可靠性高
热阻低，散热效果好
逻辑电平驱动，方便微控制器接口
无铅电镀符合环保要求
温度范围广，性能稳定
针对高速应用进行了优化
支持高额定脉冲电流

Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=100V, 32A, PG-TDSON-8, 贴片安装, 8引脚, OptiMOS Power Transistor系列