Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, -32 A, PG-TDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISC750P10LMATMA1, OptiMOS Power Transistor系列
- RS 库存编号:
- 285-055P
- 制造商零件编号:
- ISC750P10LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- ISC750P10LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -32A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 系列 | OptiMOS Power Transistor | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 75mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -32A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
系列 OptiMOS Power Transistor | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 75mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 是一种先进的功率 MOSFET，专为实现工业应用中的最佳效率和多功能性而设计。它采用坚固耐用的 P 沟道配置，具有极低的导通电阻，并能处理高漏极电流，因此适用于一系列要求苛刻的电子电路。逻辑电平栅极驱动的加入意味着它可以在低压系统中无缝运行。这款功率晶体管具有出色的散热性能和可靠的雪崩额定值，非常适合需要在持续应变下保持耐用性和可靠性的应用。该产品符合 RoHS 规范并采用无卤素镀铅工艺，进一步提高了其在环保设计方面的适用性，让制造商在激烈的市场竞争中高枕无忧。
用于电源管理的出色开关性能
100% 经过雪崩测试，可靠性高
热阻低，散热效果好
逻辑电平驱动，方便微控制器接口
无铅电镀符合环保要求
温度范围广，性能稳定
针对高速应用进行了优化
支持高额定脉冲电流