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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	P
	最大连续漏极电流	19.6 A
	最大漏源电压	60 V
	系列	OptiMOS Power Transistor
	封装类型	PG-TDSON-8
	安装类型	贴片
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	晶体管材料	SiC
	每片芯片元件数目	1

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 P
	最大连续漏极电流 19.6 A
	最大漏源电压 60 V
	系列 OptiMOS Power Transistor
	封装类型 PG-TDSON-8
	安装类型贴片
	引脚数目 8
	通道模式增强
	晶体管材料 SiC
	每片芯片元件数目 1

Datasheet - ISC800P06LMATMA1

英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 功率晶体管，其卓越的 P 沟道技术重新定义了效率，专为高性能应用而设计。它的击穿电压为 60V，专为坚固耐用的工业用途而设计，可确保在各种运行条件下都能发挥可靠的性能。独特的 SuperSO8 封装有利于形成最佳散热路径，从而提高器件的可靠性和使用寿命。该晶体管经过严格测试，包括 100% 雪崩测试，确保达到最高的可靠性和质量标准。它具有业界领先的低导通电阻，可显著降低功率损耗，是节能设计的绝佳选择。

极低的导通电阻提高了效率
100% 经过雪崩测试，可靠性高
无铅电镀符合标准
无卤素结构支持环保
逻辑电平操作，便于接口连接
适用于各种工业应用
出色的热特性确保了可靠性
性能稳定的增强模式设计

Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 19.6 A, PG-TDSON-8, 贴片安装, 8引脚, OptiMOS Power Transistor系列