Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, -19.6 A, PG-TDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISC800P06LMATMA1, OptiMOS Power Transistor系列
- RS 库存编号:
- 285-058P
- 制造商零件编号:
- ISC800P06LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- ISC800P06LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -19.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS Power Transistor | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 80mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -19.6A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS Power Transistor | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 80mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 采用 OptiMOS 功率晶体管，其卓越的 P 沟道技术重新定义了效率，专为高性能应用而设计。它的击穿电压为 60V，专为坚固耐用的工业用途而设计，可确保在各种运行条件下都能发挥可靠的性能。独特的 SuperSO8 封装有利于形成最佳散热路径，从而提高器件的可靠性和使用寿命。该晶体管经过严格测试，包括 100% 雪崩测试，确保达到最高的可靠性和质量标准。它具有业界领先的低导通电阻，可显著降低功率损耗，是节能设计的绝佳选择。
极低的导通电阻提高了效率
100% 经过雪崩测试，可靠性高
无铅电镀符合标准
无卤素结构支持环保
逻辑电平操作，便于接口连接
适用于各种工业应用
出色的热特性确保了可靠性
性能稳定的增强模式设计