Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 62 A, PG-TSDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISZ106N12LM6ATMA1, OptiMOS 6 Power Transistor系列
- RS 库存编号:
- 285-061P
- 制造商零件编号:
- ISZ106N12LM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 285-061P
- 制造商零件编号:
- ISZ106N12LM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 62A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 包装类型 | PG-TSDSON-8 | |
| 系列 | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 94W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 62A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
包装类型 PG-TSDSON-8 | ||
系列 OptiMOS 6 Power Transistor | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 10.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 94W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 MOSFET 功率晶体管在高性能应用中脱颖而出，专为满足现代电子系统的需求而设计。其先进的 N 沟道技术具有出色的效率和可靠性，是高频开关操作的理想之选。该产品专为现场专业人员设计，兼具低导通电阻和卓越的栅极电荷特性。因此，它是同步整流和工业应用的理想选择。
电阻极低，效率更高
针对高频开关进行了优化
雪崩能量等级高，可靠性强
快速响应的出色闸门充电
无铅电镀符合标准
工作温度为 55°C 至 175°C
MSL 1 级易于制造