Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 29 A, TO-247AD 3L, 通孔安装, 3引脚, MXP120A系列

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RS 库存编号:
286-354
制造商零件编号:
MXP120A080FW-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-247AD 3L

系列

MXP120A

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

80mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

139W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

47.3nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

22 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 最大功率为 高性能 1200V N 沟道 SiC MOSFET,针对要求苛刻的电力电子应用中的快速开关和稳健运行进行了优化。它的特点是传导和开关损耗低,适合充电器、辅助电机驱动器和 DC/DC 转换器等应用。

切换速度快

短路耐受时间 3 微秒

符合 RoHS 标准

无卤素