Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 6.6 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

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RS 库存编号:
301-057
制造商零件编号:
IRFR9120NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

6.6 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

480 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

40 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

10 V 时，27 常闭

长度

6.73mm

晶体管材料

Si

宽度

6.22mm

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

系列

HEXFET

最低工作温度

-55 °C

高度

2.39mm

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，6.6A 最大连续漏极电流，40W 最大功率耗散 - IRFR9120NTRPBF


这种 MOSFET 在当代电子电路中发挥着重要作用，尤其是在需要高效电流管理的应用中。其特点是性能高、导通电阻低，适用于各种电气和电子系统。该设备专为满足自动化、电气工程和其他依赖电源管理解决方案的领域的要求而定制。

特点和优势


• 6.6A 的高连续额定漏极电流支持有效运行

• 能够管理高达 100V 的电压，满足苛刻的应用要求

• 采用 DPAK TO-252 封装设计，适合精确的表面贴装

• 480mΩ 的低最大漏极-源极电阻提高了电源效率

• 提供 2V 至 4V 的栅极阈值电压范围，实现可靠控制

• 支持增强模式操作，以提高切换性能

应用


• 用于自动化系统的电源管理

• 用于直流-直流转换器设计

• 适用于工业设备中的大电流开关

• 集成到电源电路中，实现高效性能

• 适用于逆变器电路和电机控制

该产品的最佳工作温度是多少？


最佳工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，可在各种环境下实现高效性能。

栅极阈值电压如何影响性能？


最大栅极阈值电压影响开关行为; 2V 至 4V 的定义范围确保了可靠的开/关条件。

有没有安装该设备的特定方法？


它专为表面贴装应用而设计，特别是在 DPAK TO-252 基底面内，便于集成到 PCB 布局中。

低 RDS(on) 对我的电路意味着什么？


较低的 RDS（on）有助于最大限度地减少运行过程中的功率损耗，从而提高整体系统效率并降低发热量。

该产品能否处理反向电流？


是的，它具有适合有效管理反向电流的特性，可确保各种应用中的稳定性。