Infineon , 2 N型, P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2.7 A, MSOP, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
301-192P
制造商零件编号:
IRF7509TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型, P型

最大连续漏极电流 Id

2.7A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

MSOP

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

200mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.5nC

最大功耗 Pd

1.25W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

宽度

3 mm

标准/认证

No

长度

3mm

高度

0.86mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

Distrelec Product Id

30284022

双 N/P 通道功率 MOSFET,Infineon


Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 N/P 通道配置。

MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。