Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 1.2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, IRLML2402TRPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
302-016
Distrelec 货号:
304-36-994
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

1.2A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

HEXFET

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

250mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.6nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

540mW

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

3.04mm

高度

1.02mm

汽车标准

N 通道功率 MOSFET,12V 至 25V,Infineon


Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。