Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 760 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, IRLML5103TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 302-038P
- 制造商零件编号:
- IRLML5103TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRLML5103TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 760mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 540mW | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-36-996 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 760mA | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 600mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 540mW | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.02mm | ||
长度 3.04mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
Distrelec Product Id 304-36-996 | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，760mA 最大连续漏极电流，540 mW 最大功率耗散 - IRLML5103TRPBF
这种 MOSFET 是一种多功能电子元件，适用于高效功率开关应用。它专为自动化、电子和机械行业而设计，是高性能任务的紧凑型解决方案。其增强型沟道模式可提高运行效率，因此在需要可靠 MOSFET 功能的应用中很受欢迎。
特点和优势
• 紧凑型 SOT-23 封装适合空间受限的设计
• 760 mA 的高连续漏极电流可增强耐用性
• 最大漏极-源极电压为 30 V，适用于各种应用
• 600mΩ 的低 Rds(on) 值最大限度地减少了功率损耗，提高了效率
• 3.4nC 的典型栅极电荷降低了开关损耗
应用
• 用于电源管理和转换解决方案
• 适用于工业自动化装置
• 开关模式电源设计的理想之选
• 支持电子设备中的电池管理系统
• 用于运动控制 需要高效电源开关
MOSFET 在高温环境下的性能如何？
它能在高达 +150°C 的温度下有效工作，确保在具有挑战性的条件下保持稳定的性能。
Rds(on) 值偏低有何意义？
600mΩ 的低 Rds(on)降低了运行过程中的能量损耗，提高了整体系统效率。
这种 MOSFET 能否用于紧凑型设计？
是的，SOT-23 封装可在不影响性能的情况下集成到紧凑型应用中。
该器件能承受的最大栅源电压是多少？
它能承受最大 ±20V 的栅极源极电压，确保在规定范围内安全运行。
如何安装才能达到最佳性能？
PCB 上的正确处理和布局对于确保充分的热管理和连接以达到最佳效果至关重要。