制造商编号

onsemi N型, P型沟道双线型MOSFET, Vds=65 V, Id=7 A, 8针, SOIC-8, NCV系列

RS 库存编号:: 327-795
制造商零件编号:: NCV8406DD1CR2G
制造商:: onsemi

onsemi N型, P型沟道双线型MOSFET, Vds=65 V, Id=7 A, 8针, SOIC-8, NCV系列

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500 - 990	RMB5.80	RMB58.00
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RS 库存编号:: 327-795
制造商零件编号:: NCV8406DD1CR2G
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	N型, P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	7A
	最大漏源电压 Vd	65V
	系列	NCV
	包装类型	SOIC-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	210mΩ
	通道模式	双线
	正向电压 Vf	1.1V
	最大功耗 Pd	1.2W
	最大栅源电压 Vgs	14V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	150°C
	宽度	4mm
	标准/认证	RoHS, Pb-Free
	高度	1.75mm
	长度	5mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 N型, P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 7A
	最大漏源电压 Vd 65V
	系列 NCV
	包装类型 SOIC-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 210mΩ
	通道模式双线
	正向电压 Vf 1.1V
	最大功耗 Pd 1.2W
	最大栅源电压 Vgs 14V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 150°C
	宽度 4mm
	标准/认证 RoHS, Pb-Free
	高度 1.75mm
	长度 5mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - NCV8406DD1CR2G

COO (Country of Origin):: PH

安森美半导体双保护低端智能分立器件提供全面的保护特性，包括过流、过温、ESD 及集成漏极至栅极箝位，以提供过压保护。它专为在恶劣的汽车环境中实现可靠的性能而设计。

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