onsemi N型, P型沟道 双线型 MOSFET, Vds=65 V, SOIC-8, 表面安装, 8引脚, NCV8406DD1CR2G, NCV系列
- RS 库存编号:
- 327-795
- 制造商零件编号:
- NCV8406DD1CR2G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB6.246 | RMB62.46 |
| 100 - 240 | RMB5.934 | RMB59.34 |
| 250 - 490 | RMB5.497 | RMB54.97 |
| 500 - 990 | RMB5.059 | RMB50.59 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 327-795
- 制造商零件编号:
- NCV8406DD1CR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 65V | |
| 包装类型 | SOIC-8 | |
| 系列 | NCV | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 210mΩ | |
| 通道模式 | 双线 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 14 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.2W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-Free | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 65V | ||
包装类型 SOIC-8 | ||
系列 NCV | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 210mΩ | ||
通道模式 双线 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 14 V | ||
最大功耗 Pd 1.2W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.75mm | ||
标准/认证 RoHS, Pb-Free | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
安森美半导体双保护低端智能分立器件提供全面的保护特性,包括过流、过温、ESD 及集成漏极至栅极箝位,以提供过压保护。它专为在恶劣的汽车环境中实现可靠的性能而设计。
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