onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 50 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L032N065M3S, NTH系列
- RS 库存编号:
- 327-805
- 制造商零件编号:
- NTH4L032N065M3S
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 327-805
- 制造商零件编号:
- NTH4L032N065M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247-4L | |
| 系列 | NTH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 44mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 55nC | |
| 最大功耗 Pd | 187W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 6V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247-4L | ||
系列 NTH | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 44mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55nC | ||
最大功耗 Pd 187W | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 6V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
安森美半导体碳化硅（SiC）MOSFET EliteSiC 是一款 650 V、32 mΩ 器件，采用 M3S TO247-4L 封装。它具有超低栅极电荷（QG(tot) = 55 nC）和低电容（Coss = 114 pF）的高速开关特性。该器件经过 100% 雪崩测试，不含卤素，符合 RoHS 7a 豁免标准。它的二级互连也不含铅，因此适用于要求苛刻的电力电子应用。
效率高，开关损耗小
在恶劣环境下运行稳定可靠
汽车、工业和可再生能源应用的理想选择