制造商编号

onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 50 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L032N065M3S, NTH系列

RS 库存编号:: 327-805P
制造商零件编号:: NTH4L032N065M3S
制造商:: onsemi

onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 50 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L032N065M3S, NTH系列

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RS 库存编号:: 327-805P
制造商零件编号:: NTH4L032N065M3S
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	50A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	TO-247-4L
	系列	NTH
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	44mΩ
	通道模式	N
	正向电压 Vf	6V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	55nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	187W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 50A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 TO-247-4L
	系列 NTH
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 44mΩ
	通道模式 N
	正向电压 Vf 6V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 187W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI
	汽车标准否

Datasheet - NTH4L032N065M3S

COO (Country of Origin):: CN

安森美半导体碳化硅（SiC）MOSFET EliteSiC 是一款 650 V、32 mΩ 器件，采用 M3S TO247-4L 封装。它具有超低栅极电荷（QG(tot) = 55 nC）和低电容（Coss = 114 pF）的高速开关特性。该器件经过 100% 雪崩测试，不含卤素，符合 RoHS 7a 豁免标准。它的二级互连也不含铅，因此适用于要求苛刻的电力电子应用。

效率高，开关损耗小

在恶劣环境下运行稳定可靠

汽车、工业和可再生能源应用的理想选择

onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 50 A, TO-247-4L, 通孔安装, 4引脚, NTH4L032N065M3S, NTH系列

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