onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 51 A, TO-247-4L, 通孔安装, 3引脚, NTH系列
- RS 库存编号:
- 327-809P
- 制造商零件编号:
- NTHL032N065M3S
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB51.21 |
| 100 - 499 | RMB48.65 |
| 500 - 999 | RMB46.22 |
| 1000 + | RMB43.91 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 327-809P
- 制造商零件编号:
- NTHL032N065M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 51A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247-4L | |
| 系列 | NTH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 44mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 55nC | |
| 正向电压 Vf | 4.5V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 51A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247-4L | ||
系列 NTH | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 44mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55nC | ||
正向电压 Vf 4.5V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
安森美半导体 SiC MOSFET 优化用于快速开关应用，采用平面技术，确保在负栅极电压驱动和栅极关断尖峰情况下可靠工作。该系列 MOSFET 在使用 18V 栅极驱动时性能最佳，但在使用 15V 栅极驱动时也能有效工作。
无卤素，符合 RoHS 规范
15V 至 18V 栅极驱动器