onsemi N沟道MOS管, Vds=650 V, 51A, TO-247-4L, 通孔安装, 3引脚, NTH系列
- RS 库存编号:
- 327-809P
- 制造商零件编号:
- NTHL032N065M3S
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
¥485.50
(不含税)
¥548.60
(含税)
有限的库存
- 另外 71 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB48.55 |
| 100 - 499 | RMB44.75 |
| 500 - 999 | RMB41.54 |
| 1000 + | RMB33.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 327-809P
- 制造商零件编号:
- NTHL032N065M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 51A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | NTH | |
| 封装类型 | TO-247-4L | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 51A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 NTH | ||
封装类型 TO-247-4L | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 SiC | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
安森美半导体 SiC MOSFET 优化用于快速开关应用，采用平面技术，确保在负栅极电压驱动和栅极关断尖峰情况下可靠工作。该系列 MOSFET 在使用 18V 栅极驱动时性能最佳，但在使用 15V 栅极驱动时也能有效工作。
无卤素，符合 RoHS 规范
15V 至 18V 栅极驱动器
15V 至 18V 栅极驱动器