STMicroelectronics N型沟道 MOSFET, Vds=1200 V, 100 A, H2PAK-7, 表面安装, 7引脚, SCT020H120G3AG, SCT0系列
- RS 库存编号:
- 330-232
- 制造商零件编号:
- SCT020H120G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 330-232
- 制造商零件编号:
- SCT020H120G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | SCT0 | |
| 包装类型 | H2PAK-7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18.5mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 555W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 121nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 SCT0 | ||
包装类型 H2PAK-7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 18.5mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 3V | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 555W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 121nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 器件采用 ST 的先进、创新第 3 代 SiC MOSFET 技术开发。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。
符合 AEC-Q101 标准
整个温度范围内的 RDS(on) 都非常低
高速开关性能
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
源传感引脚，提高效率