STMicroelectronics N型沟道 功率 MOSFET, Vds=40 V, 203 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL220N4F8, STL系列
- RS 库存编号:
- 330-245
- 制造商零件编号:
- STL220N4F8
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 330-245
- 制造商零件编号:
- STL220N4F8
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 203A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 系列 | STL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 127W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 42.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.9 mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 203A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
系列 STL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
最大功耗 Pd 127W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.9 mm | ||
高度 1mm | ||
长度 6mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体功率 MOSFET 是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Strip FET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅极结构。它确保了极低导通电阻的最佳性能，同时降低了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
MSL1 等级
175°C 最高工作结温
100%的雪崩测试
低栅极电荷 Qg