STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=65 V, 2.5 A, PowerSO-10RF, 表面安装, 10引脚, PD57018-E, PD5系列
- RS 库存编号:
- 330-355
- 制造商零件编号:
- PD57018-E
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商零件编号:
- PD57018-E
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 65V | |
| 系列 | PD5 | |
| 包装类型 | PowerSO-10RF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.76Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | 65°C | |
| 最大功耗 Pd | 31.7W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 165°C | |
| 宽度 | 9.6 mm | |
| 高度 | 3.6mm | |
| 长度 | 14.35mm | |
| 标准/认证 | J-STD-020B | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.5A | ||
最大漏源电压 Vd 65V | ||
系列 PD5 | ||
包装类型 PowerSO-10RF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.76Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 65°C | ||
最大功耗 Pd 31.7W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 165°C | ||
宽度 9.6 mm | ||
高度 3.6mm | ||
长度 14.35mm | ||
标准/认证 J-STD-020B | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
意法半导体的射频 POWER 晶体管是一种共源 N 沟道、增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带商业和工业应用而设计。它在共源模式下的工作电压为 28 V，频率高达 1 GHz。该器件采用意法半导体最新的 LDMOS 技术，安装在首款真正的 SMD 塑料射频功率封装 PowerSO-10RF 中，具有出色的增益、线性度和可靠性。该器件具有卓越的线性度性能，是基站应用的理想解决方案。PowerSO-10 塑料封装旨在提供高可靠性，是首款获得 ST JEDEC 认证的大功率 SMD 封装。它针对射频需求进行了专门优化，具有出色的射频性能，且易于组装。安装建议见 www.st.com/rf/（查找应用说明 AN1294）。
卓越的热稳定性
通用源配置
新型射频塑料封装