STMicroelectronics N沟道MOS管, Vds=100V, 158 A, PowerFLAT 5x6, 贴片安装, 8引脚, STL系列
- RS 库存编号:
- 330-476
- 制造商零件编号:
- STL165N10F8AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 330-476
- 制造商零件编号:
- STL165N10F8AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 158 A | |
| 最大漏源电压 | 100V | |
| 系列 | STL | |
| 封装类型 | PowerFLAT 5x6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 158 A | ||
最大漏源电压 100V | ||
系列 STL | ||
封装类型 PowerFLAT 5x6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 沟道增强型功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅极结构。它具有极低的导通电阻、更小的内部电容和栅极电荷，从而实现了更快、更高效的开关。
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低栅极电荷 Qg
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