Microchip N沟道耗尽型MOSFET, Vds=500 V, 3针, SOT-23, LND150系列
- RS 库存编号:
- 333-174
- 制造商零件编号:
- LND150K1-G
- 制造商:
- Microchip
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 333-174
- 制造商零件编号:
- LND150K1-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | LND150 | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 LND150 | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 耗尽 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 高压 N 沟道耗尽模式晶体管采用了 Supertex 的横向 DMOS 技术。栅极具有 ESD 保护功能。它非常适合常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等领域的高压应用。
无二次故障
低功率驱动要求
易于并联
卓越的热稳定性
集成源漏二极管
高输入阻抗和低 CISS
ESD 栅极保护
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