Microchip P型, N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, SOIC, 表面安装, 8引脚, TC6320TG-G, TC6320系列
- RS 库存编号:
- 333-204
- 制造商零件编号:
- TC6320TG-G
- 制造商:
- Microchip
小计（1 卷，共 3300 件）*
¥37,511.10
(不含税)
¥42,388.50
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3300 + | RMB11.367 | RMB37,511.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 333-204
- 制造商零件编号:
- TC6320TG-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | TC6320 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 TC6320 | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip MOSFET 是高电压、低阈值 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，采用 8 引线 VDFN 和 SOIC 封装。这两个 MOSFET 都集成了栅至源电阻和栅至源齐纳二极管箝位，适合高压应用。它是一对互补、高速、高压、栅极箝位 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。
集成栅极至源电阻器
集成式栅源齐纳二极管
低门槛
低导通电阻
低输入电容
切换速度快
无二次故障
低输入和输出泄漏