onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 126 A, PQFN-8, 表面安装, 8引脚, NTTFD1D8N02P1E, PowerTrench Power Clip系列
- RS 库存编号:
- 333-403
- 制造商零件编号:
- NTTFD1D8N02P1E
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB16.458 | RMB82.29 |
| 50 - 95 | RMB15.63 | RMB78.15 |
| 100 - 495 | RMB14.474 | RMB72.37 |
| 500 - 995 | RMB13.316 | RMB66.58 |
| 1000 + | RMB12.82 | RMB64.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 333-403
- 制造商零件编号:
- NTTFD1D8N02P1E
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 126A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | PQFN-8 | |
| 系列 | PowerTrench Power Clip | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 36W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-Free | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 126A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 PQFN-8 | ||
系列 PowerTrench Power Clip | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 36W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.3mm | ||
标准/认证 RoHS, Pb-Free | ||
宽度 3.3 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor 功率 MOSFET 针对低压应用进行优化，具有高能效和最低传导损耗。它采用 DSC-6 封装，为现代电子设计提供了出色的热性能和节省空间的优势。此器件具有低 R DS(on) 和强大的电流处理能力，可确保可靠运行。
占地面积小，设计紧凑
低 QG 和电容，将驱动器损耗降至最低
无铅
符合RoHS标准