onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 60 A, PQFN-39, 39引脚, NCP303160AMNTWG, NCP303160A系列
- RS 库存编号:
- 333-409
- 制造商零件编号:
- NCP303160AMNTWG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB38.105 | RMB76.21 |
| 20 - 198 | RMB34.325 | RMB68.65 |
| 200 - 998 | RMB31.645 | RMB63.29 |
| 1000 - 1998 | RMB29.375 | RMB58.75 |
| 2000 + | RMB23.835 | RMB47.67 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 333-409
- 制造商零件编号:
- NCP303160AMNTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | NCP303160A | |
| 包装类型 | PQFN-39 | |
| 引脚数目 | 39 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 350mV | |
| 最大功耗 Pd | 13.5W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 NCP303160A | ||
包装类型 PQFN-39 | ||
引脚数目 39 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 350mV | ||
最大功耗 Pd 13.5W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
ON Semiconductor 集成驱动器和 MOSFET（带集成电流监控器）将 MOSFET 驱动器、高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 集成到单个封装中。驱动器和 MOSFET 已针对大电流 DC-DC 降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，此集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。
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