onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 77 A, HPSOF-8L, 8引脚, NTBL023N065M3S, EliteSiC系列

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制造商零件编号:
NTBL023N065M3S
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

77A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

EliteSiC

包装类型

HPSOF-8L

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

32.6mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

312W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

69nC

正向电压 Vf

6V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

22 V

最高工作温度

175°C

长度

9.9mm

高度

2.3mm

宽度

10.38 mm

标准/认证

Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
ON Semiconductor SiC MOSFET 针对高效开关应用进行了优化,传导损耗低、热性能稳健。其先进的设计使其在要求严苛的电源系统中发挥出更高的可靠性,同时保持了紧凑的封装。此器件可确保高效运行,并将能耗降至最低。

H PSOF8L 封装

符合RoHS标准

无铅