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onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=77 A, 8针, HPSOF-8L, EliteSiC系列

Name: onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=77 A, 8针, HPSOF-8L, EliteSiC系列
Brand: onsemi
SKU: 333-415
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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	77A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	EliteSiC
	包装类型	HPSOF-8L
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	32.6mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	312W
	最大栅源电压 Vgs	22V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	69nC
	正向电压 Vf	6V
	最高工作温度	175°C
	高度	2.3mm
	长度	9.9mm
	宽度	10.38mm
	标准/认证	Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 77A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 EliteSiC
	包装类型 HPSOF-8L
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 32.6mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 312W
	最大栅源电压 Vgs 22V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 69nC
	正向电压 Vf 6V
	最高工作温度 175°C
	高度 2.3mm
	长度 9.9mm
	宽度 10.38mm
	标准/认证 Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free
	汽车标准否

ON Semiconductor SiC MOSFET 针对高效开关应用进行了优化，传导损耗低、热性能稳健。其先进的设计使其在要求严苛的电源系统中发挥出更高的可靠性，同时保持了紧凑的封装。此器件可确保高效运行，并将能耗降至最低。

H PSOF8L 封装

符合RoHS标准

无铅

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