onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650V, 77A, H-PSOF8L, 贴片安装, 8引脚, NTBL02系列
- RS 库存编号:
- 333-415P
- 制造商零件编号:
- NTBL023N065M3S
- 制造商:
- onsemi
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 333-415P
- 制造商零件编号:
- NTBL023N065M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 77A | |
| 最大漏源电压 | 650V | |
| 封装类型 | H-PSOF8L | |
| 系列 | NTBL02 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 77A | ||
最大漏源电压 650V | ||
封装类型 H-PSOF8L | ||
系列 NTBL02 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor SiC MOSFET 针对高效开关应用进行了优化，传导损耗低、热性能稳健。其先进的设计使其在要求严苛的电源系统中发挥出更高的可靠性，同时保持了紧凑的封装。此器件可确保高效运行，并将能耗降至最低。
H PSOF8L 封装
符合RoHS标准
无铅
符合RoHS标准
无铅