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onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=55 A, 8针, HPSOF-8L, EliteSiC系列

Name: onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=55 A, 8针, HPSOF-8L, EliteSiC系列
Brand: onsemi
SKU: 333-416
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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	55A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	EliteSiC
	包装类型	HPSOF-8L
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	22V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	55nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	6V
	最大功耗 Pd	227W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free
	高度	2.3mm
	长度	9.9mm
	宽度	10.38mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 55A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 EliteSiC
	包装类型 HPSOF-8L
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 22V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 6V
	最大功耗 Pd 227W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free
	高度 2.3mm
	长度 9.9mm
	宽度 10.38mm
	汽车标准否

ON Semiconductor SiC MOSFET 专为高效电源转换而设计，具有低传导损耗和更高的热性能。其结构紧凑，可确保在大功率应用中可靠运行，同时最大限度地减少空间需求。此器件在能效方面进行了优化，可降低整个系统的功耗。

H PSOF8L 封装

符合RoHS标准

无铅

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