onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 55 A, HPSOF-8L, 8引脚, NTBL032N065M3S, EliteSiC系列

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333-416
制造商零件编号:
NTBL032N065M3S
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

HPSOF-8L

系列

EliteSiC

引脚数目

8

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

22 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

55nC

正向电压 Vf

6V

最大功耗 Pd

227W

最高工作温度

175°C

宽度

10.38 mm

长度

9.9mm

高度

2.3mm

标准/认证

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
ON Semiconductor SiC MOSFET 专为高效电源转换而设计,具有低传导损耗和更高的热性能。其结构紧凑,可确保在大功率应用中可靠运行,同时最大限度地减少空间需求。此器件在能效方面进行了优化,可降低整个系统的功耗。

H PSOF8L 封装

符合RoHS标准

无铅