onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650V, 55, H-PSOF8L, 贴片安装, 8引脚, NTBL032系列
- RS 库存编号:
- 333-416
- 制造商零件编号:
- NTBL032N065M3S
- 制造商:
- onsemi
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 333-416
- 制造商零件编号:
- NTBL032N065M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 55 | |
| 最大漏源电压 | 650V | |
| 系列 | NTBL032 | |
| 封装类型 | H-PSOF8L | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 55 | ||
最大漏源电压 650V | ||
系列 NTBL032 | ||
封装类型 H-PSOF8L | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor SiC MOSFET 专为高效电源转换而设计，具有低传导损耗和更高的热性能。其结构紧凑，可确保在大功率应用中可靠运行，同时最大限度地减少空间需求。此器件在能效方面进行了优化，可降低整个系统的功耗。
H PSOF8L 封装
符合RoHS标准
无铅
符合RoHS标准
无铅