Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=40V, 600A, PG-TSON-12, 贴片安装, 12引脚, OptiMOSTM6系列
- RS 库存编号:
- 348-842
- 制造商零件编号:
- IQFH39N04NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 348-842
- 制造商零件编号:
- IQFH39N04NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 600A | |
| 最大漏源电压 | 40V | |
| 封装类型 | PG-TSON-12 | |
| 系列 | OptiMOSTM6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 600A | ||
最大漏源电压 40V | ||
封装类型 PG-TSON-12 | ||
系列 OptiMOSTM6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 12 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 40V 标准电平功率 MOSFET 采用我们最新的创新型紧凑夹式 PQFN 8x6mm2 封装，可实现非常高的电流和功率水平。这款零件可提供当前超低的 0.39mΩ RDS(on) 和出色的热性能。
体积紧凑，超高电流
超低封装寄生效应
优化的引线框架和铜夹设计
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