Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 275 A, PG-TDSON-8 FL, 表面安装, 8引脚, ISC025N08NM5LF2ATMA1, OptiMOS-TM5系列
- RS 库存编号:
- 348-846
- 制造商零件编号:
- ISC025N08NM5LF2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 348-846
- 制造商零件编号:
- ISC025N08NM5LF2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 275A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 FL | |
| 系列 | OptiMOS-TM5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.55mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 217W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 275A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PG-TDSON-8 FL | ||
系列 OptiMOS-TM5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.55mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 217W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
英飞凌 60 V OptiMOS 5 线性场效应晶体管采用 PQFN 5x6 mm (SuperSO8) 封装，在 25˚C 和 125˚C 温度条件下具有业界最低的导通电阻 RDS(on)和宽安全工作区 (SOA)。OptiMOS 线性 FET 是一种革命性的方法，它解决了导通电阻和线性模式能力之间的折衷问题。
高浪涌电流已启用
快速启动，缩短停机时间
行业标准封装