Infineon N型, N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 700 A, PG-WHTFN-9, 表面, 表面安装, 9引脚, IQDH35N03LM5CGSCATMA1, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 348-875
- 制造商零件编号:
- IQDH35N03LM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 348-875
- 制造商零件编号:
- IQDH35N03LM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 700A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PG-WHTFN-9 | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 安装类型 | 表面, 表面安装 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.35mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 700A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PG-WHTFN-9 | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
安装类型 表面, 表面安装 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.35mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon MOSFET 具有 0.35mOhm 的低 RDS(on) 和出色的散热性能，可轻松进行功耗管理。中心栅的占用空间针对并行化进行了优化。
最小化传导损耗
快速切换
减少了电压过冲