Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60V, 445A, PG-WHTFN-9, 贴片安装, 9引脚, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 348-880
- 制造商零件编号:
- IQD009N06NM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 348-880
- 制造商零件编号:
- IQD009N06NM5CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 445A | |
| 最大漏源电压 | 60V | |
| 封装类型 | PG-WHTFN-9 | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 445A | ||
最大漏源电压 60V | ||
封装类型 PG-WHTFN-9 | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 9 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 功率 MOSFET 具有 0.9mOhm 的低 RDS(on) 和出色的散热性能，可轻松进行功耗管理。中心栅的占用空间针对并行化进行了优化。
最小化传导损耗
快速切换
减少了电压过冲
快速切换
减少了电压过冲