Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30V, 128A, PG-TSDSON-8, 贴片安装, 8引脚, ISZ系列
- RS 库存编号:
- 348-902
- 制造商零件编号:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB8.697 | RMB86.97 |
| 100 - 240 | RMB8.26 | RMB82.60 |
| 250 - 490 | RMB7.656 | RMB76.56 |
| 500 - 990 | RMB7.044 | RMB70.44 |
| 1000 + | RMB6.781 | RMB67.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 348-902
- 制造商零件编号:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 128A | |
| 最大漏源电压 | 30V | |
| 封装类型 | PG-TSDSON-8 | |
| 系列 | ISZ | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 128A | ||
最大漏源电压 30V | ||
封装类型 PG-TSDSON-8 | ||
系列 ISZ | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon StrongIRFET 2 功率 MOSFET 30V 采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装。它采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装，具有杰出的 2.8mOhm RDS(on)。这款产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，其 RDS(on) 提升高达 40%，同时 FOM 提升高达 60%，并具有出色的坚固性。
通用产品
出色的坚固性
卓越的性价比
经销商广泛供货
标准封装和插针输出
高制造和供应标准
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标准封装和插针输出
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