Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=30 V, 128 A, PG-TSDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISZ028N03LF2SATMA1, ISZ系列
- RS 库存编号:
- 348-902
- 制造商零件编号:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB8.697 | RMB86.97 |
| 100 - 240 | RMB8.26 | RMB82.60 |
| 250 - 490 | RMB7.656 | RMB76.56 |
| 500 - 990 | RMB7.044 | RMB70.44 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 348-902
- 制造商零件编号:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 128A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PG-TSDSON-8 | |
| 系列 | ISZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 21nC | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 128A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PG-TSDSON-8 | ||
系列 ISZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon StrongIRFET 2 功率 MOSFET 30V 采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装。它采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装，具有杰出的 2.8mOhm RDS(on)。这款产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，其 RDS(on) 提升高达 40%，同时 FOM 提升高达 60%，并具有出色的坚固性。
通用产品
出色的坚固性
卓越的性价比
经销商广泛供货
标准封装和插针输出
高制造和供应标准