Infineon N型, P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 10.2 A, PG-DSO-8, 表面安装, 8引脚, ISA150233C03LMDSXTMA, ISA系列
- RS 库存编号:
- 348-906
- 制造商零件编号:
- ISA150233C03LMDSXTMA
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 348-906
- 制造商零件编号:
- ISA150233C03LMDSXTMA
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PG-DSO-8 | |
| 系列 | ISA | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC61249‐2‐21, JEDEC | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 长度 | 6.2mm | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10.2A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PG-DSO-8 | ||
系列 ISA | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 23.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC61249‐2‐21, JEDEC | ||
高度 1.75mm | ||
长度 6.2mm | ||
宽度 5 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 3 功率晶体管采用互补型 N 和 P 通道配置，设计用于高效开关应用。这些 MOSFET 具有极低的导通电阻 (RDS(on))，可最大限度减少传导损耗并提升整体系统性能。此外，它们还具有出色的热阻，确保在严苛应用中具有更好的散热性和可靠性。凭借这些特性，它们适用于各种电源管理和节能设计。
100% 通过雪崩测试
无铅电镀，符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准