Infineon 双N沟道 增强型 功率晶体管, Vds=40 V, 7.9 A, PG-DSO-8, 表面安装, 8引脚, ISA250250N04LMDSXTMA1, ISA系列
- RS 库存编号:
- 348-910
- 制造商零件编号:
- ISA250250N04LMDSXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | RMB3.40 | RMB68.00 |
| 200 - 480 | RMB3.23 | RMB64.60 |
| 500 - 980 | RMB2.992 | RMB59.84 |
| 1000 - 1980 | RMB2.753 | RMB55.06 |
| 2000 + | RMB2.651 | RMB53.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 348-910
- 制造商零件编号:
- ISA250250N04LMDSXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PG-DSO-8 | |
| 系列 | ISA | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 25mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 双N | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
最大连续漏极电流 Id 7.9A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PG-DSO-8 | ||
系列 ISA | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 25mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.8nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 3 功率晶体管是一款双 N 通道逻辑电平 MOSFET，设计用于高性能电源应用。它具有极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外，这款晶体管具有出色的热阻，可确保在严苛条件下实现更好的热管理和可靠性。凭借这些特性组合，它适用于需要高效电源开关和热性能的应用。
100% 通过雪崩测试
无铅电镀，符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准