制造商编号

Infineon 双N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=9.6 A, 8针, PG-DSO-8, ISA系列

RS 库存编号:: 348-912
制造商零件编号:: ISA170170N04LMDSXTMA1
制造商:: Infineon

Infineon 双N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=9.6 A, 8针, PG-DSO-8, ISA系列

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500 - 980	RMB4.064	RMB81.28
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RS 库存编号:: 348-912
制造商零件编号:: ISA170170N04LMDSXTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	双N
	最大连续漏极电流 Id	9.6A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	PG-DSO-8
	系列	ISA
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	17mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	6nC
	最大功耗 Pd	2.5W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC Standard

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型双N
	最大连续漏极电流 Id 9.6A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 PG-DSO-8
	系列 ISA
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 17mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6nC
	最大功耗 Pd 2.5W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC Standard

Datasheet - ISA170170N04LMDSXTMA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS 3 功率晶体管是一款双 N 通道逻辑电平 MOSFET，设计用于高性能电源应用。它具有极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外，这款晶体管具有出色的热阻，可确保在严苛条件下实现更好的热管理和可靠性。凭借这些特性组合，它适用于需要高效电源开关和热性能的应用。

100% 通过雪崩测试

无铅电镀，符合 RoHS 标准

无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准

Infineon 双N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=9.6 A, 8针, PG-DSO-8, ISA系列

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