Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 25 A, EasyPACK, 螺钉接线端子安装, F433MR12W1M1HB76BPSA1, F4-17MR12W1M1HP_B76系列
- RS 库存编号:
- 348-968
- 制造商零件编号:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 件）*
¥979.18
(不含税)
¥1,106.47
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB979.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 348-968
- 制造商零件编号:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| 包装类型 | EasyPACK | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 69.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 5.35V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
包装类型 EasyPACK | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
最大漏源电阻 Rd 69.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 5.35V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET 四组模块 1200V、33mΩ G1 配备 NTC 并采用 PressFIT 接触技术。这款 MOSFET 拥有出色的封装，高度紧凑，仅 12mm，可高效利用空间且不影响性能。它采用先进的宽带隙 (WBG) 材料，可确保提高效率并增强功率处理能力。设计还具有极低的模块杂散电感，可降低功率损耗并优化开关性能。
卓越的模块效率
系统成本优势
系统效率提升
降低冷却要求
实现更高的频率
增加功率密度