Infineon 沟槽型 Igbt 3 P型沟道 消耗型 MOSFET, EasyPIM, 螺钉接线端子安装, FB50R07W2E3B23BOMA1, FB50R07W2E3_B23系列
- RS 库存编号:
- 348-972
- 制造商零件编号:
- FB50R07W2E3B23BOMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 348-972
- 制造商零件编号:
- FB50R07W2E3B23BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 系列 | FB50R07W2E3_B23 | |
| 包装类型 | EasyPIM | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 正向电压 Vf | 1.95V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 晶体管配置 | 沟槽型 Igbt 3 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC 60747, 60749, 60068 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
系列 FB50R07W2E3_B23 | ||
包装类型 EasyPIM | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
通道模式 消耗 | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
正向电压 Vf 1.95V | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
晶体管配置 沟槽型 Igbt 3 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC 60747, 60749, 60068 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPIM 2B 650V、50A 交错式 PFC 级将整流器、双通道 PFC 和反相器级集成在一个紧凑的模块中，为电源应用提供一种节省空间的解决方案。它采用极低杂散电感设计，可确保最小功率损耗并提高开关效率。高速 H5 技术可增强 PFC 级，提供更高的效率和更快的响应时间。这款模块支持 PFC 级高达 50kHz 的更高开关频率，能够在严苛应用中实现更好的性能。Trenchstop IGBT 3 和由发射极控制的 3 个二极管进一步提高了可靠性和运行效率。
设计紧凑，采用 Easy 2B 封装
性价比出色，可降低系统成本
可实现高频操作并降低冷却要求