Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 150 A, EasyDUAL, 螺钉接线端子安装, FF6MR12W2M1HPB11BPSA1, CoolSiC Trench MOSFET系列
- RS 库存编号:
- 348-978
- 制造商零件编号:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
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- 348-978
- 制造商零件编号:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | CoolSiC Trench MOSFET | |
| 包装类型 | EasyDUAL | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 正向电压 Vf | 5.35V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 CoolSiC Trench MOSFET | ||
包装类型 EasyDUAL | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
正向电压 Vf 5.35V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET 半桥模块旨在提供具有出色封装的高性能电源解决方案，其高度紧凑，仅 12mm，可有效利用空间。这款模块采用先进的宽带隙 (WBG) 材料，具有卓越的效率、可靠性和热性能。它具有极低的模块杂散电感，可确保最小化功率损耗并增强开关动态。这款模块由增强型 CoolSiC MOSFET Gen 1 供电，可提供改进的热管理和效率，因此适用于严苛的电源应用。
卓越的模块效率
系统成本优势
系统效率提升
降低冷却要求
实现更高的频率
增加功率密度