Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 62.5 A, EasyPACK, 螺钉接线端子安装, FS13MR12W2M1HC55BPSA1, FS13MR12W2M1H_C55系列

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RS 库存编号:
348-979
制造商零件编号:
FS13MR12W2M1HC55BPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

62.5A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

EasyPACK

系列

FS13MR12W2M1H_C55

安装类型

螺钉接线端子

最大漏源电阻 Rd

21.7mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

23 V

最低工作温度

-40°C

正向电压 Vf

5.35V

最大功耗 Pd

20mW

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200V、13mΩ 六组模块集成了 CoolSiC MOSFET 增强型第 1 代技术,适用于高性能电源应用。它采用出色的封装,高度紧凑,仅 12mm,可实现卓越的空间效率而不影响性能。这款模块采用先进的宽带隙 (WBG) 材料构建,可确保卓越的效率、热性能和可靠性。

卓越的模块效率

系统成本优势

系统效率提升

降低冷却要求

实现更高的频率

增加功率密度

DCB 材料导热性能更佳