Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 25 A, EasyPACK, 螺钉接线端子安装, FS33MR12W1M1HB70BPSA1, CoolSiC系列

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RS 库存编号:
348-981
制造商零件编号:
FS33MR12W1M1HB70BPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

25A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

CoolSiC

包装类型

EasyPACK

安装类型

螺钉接线端子

最大漏源电阻 Rd

60.2mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

20mW

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

23 V

正向电压 Vf

5.35V

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET 六组模块设计用于高性能电源应用,采用出色的封装,高度紧凑,仅 12.25mm,可优化空间效率。它采用先进的宽带隙 (WBG) 材料制成,可提供卓越的效率、热性能和长期可靠性。它由增强型 CoolSiC MOSFET Gen 1 供电,可确保在严苛环境中实现先进的热管理和高能效。

卓越的模块效率

系统成本优势

系统效率提升

降低冷却要求

实现更高的频率

增加功率密度

DCB 材料导热性能更佳