制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=48 A, 3针, PG-TO220-3, IPA系列

RS 库存编号:: 348-987
制造商零件编号:: IPAN60R180CM8XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=48 A, 3针, PG-TO220-3, IPA系列

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RS 库存编号:: 348-987
制造商零件编号:: IPAN60R180CM8XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	48A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	PG-TO220-3
	系列	IPA
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	180mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	17nC
	最大功耗 Pd	25W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 48A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 PG-TO220-3
	系列 IPA
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 180mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC
	最大功耗 Pd 25W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IPAN60R180CM8XKSA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon CoolMOS 第 8 代平台是高电压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结原理设计，由 Infineon Technologies 首创。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的后续产品。它兼具快速开关 SJ MOSFET 的优点和卓越的易用性，例如低振铃趋势、可为所有产品实施快速体二极管 (CFD)，具有卓越的抗硬换向稳健性和卓越的 ESD 能力。

可显著减少开关和传导损耗

我们先进的芯片贴装技术可简化热管理

适用于多种应用和功率范围

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=48 A, 3针, PG-TO220-3, IPA系列

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