Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=600V, 72A, PG-HDSOP-10-1, 贴片安装, 10引脚, IPD系列
- RS 库存编号:
- 348-990
- 制造商零件编号:
- IPDD60R037CM8XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB59.05 |
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| 1000 + | RMB40.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 348-990
- 制造商零件编号:
- IPDD60R037CM8XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 72A | |
| 最大漏源电压 | 600V | |
| 封装类型 | PG-HDSOP-10-1 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 72A | ||
最大漏源电压 600V | ||
封装类型 PG-HDSOP-10-1 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 10 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS 第 8 代平台是高电压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计，由 Infineon Technologies 首创。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的后续产品。它兼具快速开关 SJ MOSFET 的优点和卓越的易用性，例如低振铃趋势、可为所有产品实施快速体二极管，具有卓越的抗硬换向稳健性和卓越的 ESD 能力。此外，CM8 的开关和传导损耗极低，开关应用因此更加高效。
适用于硬开关和软开关拓扑
低振铃趋势，易于使用和快速设计
我们先进的芯片贴装技术可简化热管理
适用于多种应用和功率范围
通过使用体积更小的产品来实现更高功率密度的解决方案
低振铃趋势，易于使用和快速设计
我们先进的芯片贴装技术可简化热管理
适用于多种应用和功率范围
通过使用体积更小的产品来实现更高功率密度的解决方案